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陳燕寧:攻關工業(yè)芯片可靠性關鍵技術

國家電網(wǎng)報發(fā)布時間:2024-06-05 15:27:56  作者:黃姍 張忠禹

  “工業(yè)芯片可靠性技術研究需要‘十年磨一劍’的精神,關鍵核心技術突破沒有捷徑,唯有腳踏實地、潛心鉆研。”北京智芯微電子科技有限公司研發(fā)中心總經(jīng)理陳燕寧常用這句話勉勵團隊。作為創(chuàng)新團隊技術帶頭人,她以“敢想”“敢闖”“敢拼”的工作作風,為科研工作者作出榜樣。

  從事芯片研發(fā)工作以來,陳燕寧一直致力于工業(yè)芯片可靠性關鍵技術攻關,帶領團隊攻克了多物理場下芯片可靠性退化機理及專用設計工具研究、高可靠長壽命特色流片工藝設計、電力芯片綜合測試系統(tǒng)開發(fā)等一系列工業(yè)芯片技術難題。她曾獲北京市優(yōu)秀青年工程師、國家電網(wǎng)有限公司巾幗建功標兵、“最美國網(wǎng)人”等稱號,獲省部級、公司級科技獎勵23項,發(fā)表SCI、EI論文44篇。

  為了提升電力芯片可靠性水平,陳燕寧和團隊成員跑遍全國各地電力芯片應用的極端環(huán)境現(xiàn)場,收集整理了大量關鍵數(shù)據(jù)。他們研究分析電力各環(huán)節(jié)終端裝置應用場景的環(huán)境數(shù)據(jù),尋找環(huán)境和芯片功能退化的相關性規(guī)律,研究高可靠器件設計方法和流片工藝優(yōu)化方案。

  在大膽嘗試和不懈努力下,陳燕寧和團隊搭建出了可準確模擬電磁、溫濕度等十余種環(huán)境特征和數(shù)百種典型應用場景的電力芯片動模平臺,研制出高精度可靠性模型,找到了可用于抵抗環(huán)境干擾的芯片可靠性設計方法,開發(fā)出滿足電力芯片應用需求的高低壓融合、抗干擾、長壽命的特色流片工藝。此外,她帶領團隊開發(fā)了寬溫區(qū)、抗電磁、高耐壓、長壽命的能源電子高可靠定制化模擬芯片工藝平臺。平臺具有低功耗、高效能、高集成度的特點,可降低芯片功率耗損,提高芯片可靠性水平。

  2020年10月,陳燕寧創(chuàng)新工作室正式成立。這是一支碩士、博士研究生占比達90%的創(chuàng)新團隊,旨在發(fā)揮高學歷人才在企業(yè)科技創(chuàng)新中的示范引領和帶頭作用。2023年,她帶領創(chuàng)新工作室成員成功申報國家及省部級科技項目9項。(黃姍 張忠禹)


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